先進設備による効率的な生産報道によると、国内の半導体機器メーカーであるZhongsheng Optoelectronics Equipment（Shanghai）Co.、Ltd.（以下「Zhongsheng Optoelectronics」）は、深紫外線LEDアプリケーション向けの新しいMOCVD技術とモデルを発表し、機器コストをさらに削減し、生産能力を向上させました。 。
データによると、Zhongsheng Optoelectronicsは2011年5月に設立され、上海の浦東にあるZhangjiangHigh-techParkに本社を置いています。 LEDおよび第2世代/第3世代の半導体部品を製造するためのMOCVD装置の研究開発と製造に焦点を当てています。 これは、国内で所有されている数少ない独立したコアテクノロジーの1つです。 最大のMOCVD製造会社の1つ。 さらに、People's Daily Onlineによると、ZhongshengOptoelectronicsとChinaMicroelectronicsは、LED照明の分野で、中国市場におけるドイツのAixtronとAmericanVeecoの長期的な独占をかつて破りました。
2016年から2017年にかけて、ZhongshengOptoelectronicsと国内の大手深紫外線LEDメーカーであるJetsonSemiconductorは、中国で最初の深紫外線MOCVD装置であるProMaxy®UVを共同で開発および工業化しました。これは深紫外線LEDの研究開発および生産能力になりました。 2020年以来の技術。拡張の主要なモデルの1つ。 最近、Semiconductor Industry Networkは、ZhongshengOptoelectronicsが深紫外線MOCVD装置に新たなブレークスルーをもたらしたと報告しました。
深紫外線LEDアプリケーションの継続的な拡大と促進に伴い、市場は深紫外線LED製品の電力変換効率、歩留まり、および製造コストに対するより高い要件を提唱していると報告されています。 エピタキシーの観点から、深紫外線LEDのAlN（窒化アルミニウム）エピタキシャル成長の材料結晶品質、表面形態特性、および亀裂制御は、電力変換効率と歩留まりの向上に大きな影響を与え、MOCVD装置がエピタキシー技術として使用されます。 より高い要件を満たすには、コア機器もアップグレードする必要があります。
この目的のために、ProMaxy®UVに依存しないイノベーションのコアテクノロジーに基づいて、Zhongsheng Optoelectronicsは、反応チャンバーの温度場制御、反応ガスの透過と均一な分配、およびその他のテクノロジーをさらに革新および最適化し、高品質を確立しました。エピタキシャルに生成できるAlN。 生産能力を拡張し（少なくとも15x2）、生産コストを削減できる新しいMOCVDコアテクノロジー。
同時に、設備コストをさらに削減し、生産能力を向上させるために、ZhongshengOptoelectronicsは4つの反応チャンバーで構成できるProMaxy®UVモデルも発売しました。 このモデルは、各キャビティで深紫外線LEDの完全な構造をエピタキシャルに生成できるだけでなく、AlN基板とLED構造のエピタキシャル生成を別々のキャビティに統合することもできます。
現在、ジェイソンセミコンダクターはZhongshengOptoelectronicsの4つの深紫外線MOCVD装置を持っており、医療滅菌、白物製品、浄水などの深紫外線LEDアプリケーションのニーズを満たすためにエピタキシャル製品の大量生産に使用されています。 Jason Semiconductorは、Zhongsheng Optoelectronicsの新しいMOCVD技術とマルチキャビティ構成モデルを使用して、大量生産に必要な高品質のAlN基板を取得できると同時に、生産能力を大幅に向上させ、エピタキシー生産コストを削減できると述べました。
Jason Semiconductorに加えて、多くの国内顧客がZhongsheng Optoelectronicsの新しいMOCVD技術を採用し、高品質で低コストのAlN基板を入手したと報告されています。 具体的な利点は次のとおりです。表面の特徴Rq<0.5nm, edge="" cracks="" controlled="" at=""><2mm. zhongsheng="" optoelectronics="" said="" that="" in="" the="" future,="" it="" will="" launch="" new="" solutions="" through="" continuous="" innovation="" to="" meet="" the="" growing="" needs="" of="" deep="" ultraviolet="" led="" technology="" development="" and="" mass="">
また、Zhongsheng Optoelectronicsは、近年、第3世代の半導体MOCVD装置の分野への投資を徐々に拡大していることも注目に値します。 2020年、Zhongsheng Optoelectronicsの第3世代半導体GaNディスクリートデバイス用のProMaxy®PD機器は、市場の評価と検証の段階に入りました。 同年8月、Zhongsheng Optoelectronicsは、第2世代/第3世代の半導体ディスクリートデバイス用のハイエンド機器の研究開発および製造のために、上海浦東科学技術グループ株式会社が主導する1億1,300万元の資本を獲得しました。 。
深紫外線LEDアプリケーションであろうと第3世代半導体アプリケーションであろうと、Zhongsheng Optoelectronicsは、資本市場とアプリケーション側の認識とサポートを獲得しています。 将来的には、独自のコア技術に基づくMOCVD装置システムが、革新的な研究開発および資金調達能力を通じて強化されることが期待されています。 MOCVD装置の改善により、MOCVD装置のローカリゼーションが促進されます。