1）シリコンダイオードの逆電流は、ゲルマニウムダイオードの逆電流よりもはるかに小さい。 ゲルマニウムチューブはmAクラスであり、シリコンチューブはnAレベルである。 これは、同じ温度であるので、シリコン・ニアよりも約3桁高いので、シリコン・ジェーン濃度と同じ濃度のゲルマニウム濃度よりも低いため、シリコン・チューブの逆飽和電流は非常に小さい。
2）順方向電圧が非常に小さいとき、ダイオードの電流は非常に小さく、順方向電圧がある数U Uに達した後でのみ、電流は著しく増加する。 通常、電圧Urは、ダイオードしきい値電圧とも呼ばれ、不感帯電圧またはしきい値電圧としても知られている。 シリコンダイオードの閾値電圧は、シリコンダイオードのIsがゲルマニウムダイオードのIsよりもはるかに小さいため、ゲルマニウムダイオードの閾値電圧よりも大きい。 一般的なシリコンダイオードの閾値電圧は約0.5v〜0.6vであり、ゲルマニウムダイオードの閾値電圧は約0.1v〜0.2vである。