先進設備による効率的な生産1. UVLED 照明機構: PN 接合の末端の電圧は、特定の障壁を構成します。順方向バイアス電圧が適用され、障壁低下、互いにびまん性 P と N の領域の大半のキャリア。電子移動度は正孔移動度よりもはるかに大きいため、大量の電子は P 領域の少数キャリアの注入を構成する P 領域に拡散します。これらの電子が価電子帯のホールと再結合し、再結合の間に得られるエネルギーが光のエネルギーとして解放されます。これは、PN ジャンクション照明の原則です。
2、UVLED 発光効率: 一般的には、コンポーネントの内部量子効率とコンポーネントの抽出効率の製品コンポーネントの外部量子効率と呼ばれます。コンポーネントの内部量子効率は実際に (エネルギー バンド、欠陥、およびコンポーネントの不純物などのコンポーネント自体の特性に主に関連しているコンポーネント自体の電気-光変換効率素材) の構成とコンポーネントの構造。コンポーネントの抽出効率は、コンポーネント内部で発生した光子の吸収、屈折、およびコンポーネント自体に反映した後にコンポーネントの外側測定ことができる光子の数を指します。したがって、抽出効率化に関する要因を含めるコンポーネント材料、コンポーネント、コンポーネントおよび包装材料および散乱特性の屈折率差のジオメトリの吸収コンポーネントの構造。コンポーネントの内部量子効率とコンポーネントの抽出効率の製品は、コンポーネントの外部量子効率は、全体の成分の光の効果です。初期コンポーネントの開発は、その内部量子効率の改善に焦点を当てた。Main メソッドは、電気エネルギー、熱エネルギー、それによって、UVLED の発光効率の改善をそれにより直接に簡単に変換されません、バリア クリスタルの品質向上とバリアの結晶の構造を変更です。約 70% の理論を取得します。内部量子効率、しかし、このような内部量子効率は、理論限界に近いものです。このような状況下で、モジュールの内部量子効率を増やすことによって、モジュールの光の総量を増やすことはじゃ。したがって、コンポーネントの抽出効率を向上させる重要な研究課題です。現在のメソッドは、主に: 穀物外観 - 先端構造変化表面ラフニング技術。
3、UVLED 電気的特性: 電流制御素子は PN 接合 UI 曲線、前方伝導電圧の最小変化と同様の負荷特性は順電流 (指数レベル) で大規模な変更を引き起こす、逆方向リーク電流が小さな、逆ブレーク ダウン電圧があります。実際の使用で選択してください。UVLED の順方向電圧は温度の上昇とともに小さくなる、負の温度係数です。UVLED の消費電力と、それの一部は、我々 が必要なものは、光のエネルギーに変換されます。残りの部分は、ジャンクション温度上昇を原因となる熱に変換されます。発熱 (力) の量は、として表現できます。
4、UVLED 光学特性: UVLED 半角大規模な単色光を提供は、ピーク波長は温度上昇としては、出力は、スペクトルの赤方偏移ので半導体のエネルギー ギャップが温度の上昇とともに減少するので、温度係数は +2 ~ 3 a/。UVLED は、明るさ L と順方向電流を出力します。現在の増加として光の輝度を約増加させるも。さらに、光の輝度は周囲温度にも関連します。周囲の温度が高いと、合成の効率が下がるし、光度が減少します。
5、UVLED 熱特性: 微小電流で LED の温度上昇は明らかではないです。周囲温度が高い場合、UVLED の主波長赤シフト、明るさが減少するなりの均一性と光の一貫性が悪化されます。特に、ドット マトリックスと大型ディスプレイ画面の温度上昇は LED の安定性、信頼性のより重要な影響を及ぼします。熱設計は非常に重要です。
6、UVLED 生活: UVLED の長期的な仕事は光の減衰によって引き起こされる老化を引き起こす特にハイパワー UVLED の軽いフェード問題がより深刻。UVLED の寿命を測定するときじゃない、UVLED の有効期間の終わりとしてランプの損傷を使用するのに十分です。35% など、UVLED のライトの減衰の割合で LED の有効期間を指定する意味があります。
7、ハイパワー UVLED パッケージ: 主に放熱と光を検討してください。放熱の面で熱ライニングの銅ベースはアルミ製ヒートシンクへの接続に使用される、はんだ接合部は、ダイと熱のライニング間の接続として使用されます。この放熱方式より良い効果と高いコスト パフォーマンス。光出力の面で技術をフリップ チップを採用し、反射面に下面と無駄な光のエネルギーを反映するように面を追加しより多くの光を得ることができます。