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学者のJiang Fengyiは、2019年のグローバル半導体照明優秀貢献賞を受賞しました

Dec 21, 2019 ご伝言

11月25日、深Shenzhenで開催された国際半導体照明アライアンス(ISA)会員会議は、2019年の「グローバル半導体照明優秀貢献賞」の結果を発表し、アカデミシャンのJiang Fengyiは「グローバル半導体照明優秀賞」を受賞しました。


Jiang Fengyiは、シリコンベースの窒化ガリウムLEDの基礎研究と工業化に長い間取り組んできました。 彼の研究対象は、半導体発光材料、チップ、デバイス物理学、および特別な機器です。 彼は55件の中国特許と23件の米国特許を取得しています。 近年、Jiang Fengyiのチームは、青、シアン、緑、黄、金、赤などの高ビーム品質をカバーするLEDを開発し、チップ、デバイスなどの新しいシリーズのアップストリーム、ミッドストリーム、およびダウンストリーム製品を発売しました。とランプ。 GaNベースのLEDの技術的進歩と工業化は先駆的な貢献をしています。


Jiang Fengyiの受賞歴のある推薦者は、中村修二教授です。 審査員は、Jiang Fengyiのチームによって研究開発された実用的な混合色白色LEDは、蛍光体を使用せずにスペクトルを調整できると考えています。 基本的なLED技術の研究は実り多い結果を達成しており、より高いエネルギー効率と微調整可能なスペクトルを備えた将来のLED照明源に大きな影響を与えます。 。


「グローバル半導体照明優秀貢献賞」は、世界の半導体照明分野で最高の賞です。 世界的な半導体照明産業への顕著な貢献を認め、報いることを目指しています。 科学的発見、技術革新、産業開発、標準的なカスタマイズ、ポリシーの実装など、さまざまな分野で行われています。 優秀な個人および機関。 この賞は、世界中の半導体照明の分野で優れた貢献者を認識し、敬意を表しており、それにより、より多くの科学者がこの偉大な大義に参加するよう促し、その知識と革新を使用して歴史を前進させ、より多くのインスピレーションを生み出しますすべての存在。 2013年の最初の選択(2019年を含む)から、物理学のノーベル賞受賞者5人と国際機関5人を含む合計9人がこの栄誉を獲得しました。


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